華虹半導體 (01347) 公布,與華虹宏力、國家集成電路產業基金II及無錫市實體於昨(18日)訂立合營協議,同意合營公司成立合營企業並以現金方式分別向合營公司投資約8.8億美元、11.7億美元、11.7億美元及8億美元。根據合營協議,合營公司將從事集成電路及採用65/55nm至40nm工藝的12英寸 (300mm)晶圓的製造及銷售。
同日,公司、華虹宏力、國家集成電路產業基金II、無錫市實體及合營公司訂立合營投資協議以將合營公司轉為合營企業並將合營公司的註冊資本由668萬元人民幣增至40.2億美元。
根據合營協議及合營投資協議,向中國政府完成相關備案後, 合營公司將由華虹半導體持有約51%權益,其中21.9%將由公司直接持有及29.1% 將由公司透過其全資子公司華虹宏力間接持有。
另外,合營公司與華虹無錫訂立土地轉讓協議,合營公司以總代價約1.7億元人民幣購買華虹無錫該土地,以開發晶圓廠,從而容納合營公司製造集成電路及12英寸 (300mm)晶圓的生產線。